原创 国产雄起！长江存储卡住了三星、SK海力士存储芯片的脖子

然后将存储部分，和接口电路部分分开，存储部分不能微缩工艺，但是外部的接品电路部分，是可以用5nm、3nm这样工艺的，读写速度更快。

但存储部分、外部接口电路部分分开后，就又需要将这两部分联系在一起，这种技术叫做【混合键合】技术，所以这项技术，已经是NAND存储芯片绕不开的技术了。

过去的这几年，混合键合技术高速发展，自2019 年以来，混合键合相关专利的数量增加了四倍多，而台积电、Adeia 和长江存储是混合键合 IP 的领先者。

台积电这方面的专利主要集中在 2.5D 和 3D IC 应用，用于其自身的芯片制造、封装等。

而长江存储的混合键合技术专利，则主要集中在存储芯片领域，涉及NAND、DRAM 和 SRAM。包括逻辑和存储器芯片的混合键合，以及围绕键合层的外围电路集成，长江存储将这种技术称之为“Xtacking”（晶栈）。

数据显示，从2017 年至 2024 年 1 月期间，长江存储共披露了 119 项混合键合相关专利，而三星仅披露了 83 项专利， SK 海力士只披露了 11 项，两者合计都没有长江存储一家多。

所以为了发展NAND存储芯片，三星已从 YMTC 获得混合键合专利 ，以制造其下一代NAND 闪存芯片，机构预计 SK 海力士也将寻求达成类似的协议，毕竟长江存储的专利被认为是不可避免的，三星们无法绕开。

可见，这次中国企业长江存储，虽然作为后者之秀，但是真的在技术上，卡住了三星、SK海力士的脖子了，这也证明，中国企业在芯片上一样能行的。